ГГУ посетила учёный из Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова

Опубликовано ias - чт, 27/12/2018 - 15:50

С 26 по 27 декабря 2018 года ГГУ имени Ф. Скорины посетила Елена Валериевна Наумова, кандидат физико-математических наук, научный сотрудник Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской Академии наук  (Россия, Новосибирск). Елена Валериевна является ведущим инженером лаборатории физики и технологии трёхмерных наноструктур Института физики полупроводников СО РАН и занимается созданием новых искусственных электромагнитных материалов (метаматериалов) на основе трехмерных оболочек, в основном метаматериалов с киральными свойствами.

В рамках визита гостья прочла курс лекций для студентов и магистрантов факультета физики и информационных технологий и биологического факультета. Темы лекций – «Принц-технология (формирование прецизионных 3D оболочек из напряженных нанопленок) и ее применения (метаматериалы, термоанемометры, инструменты с атомно-острыми краями для манипуляций внутри живой клетки и др.)» и «Удивительные научные факты об эпигенетике, канцерогенезе и излучении живых клеток».

На встрече с ректором ГГУ имени Ф. Скорины, доктором физико-математических наук, доцентом Сергеем Анатольевичем Хахомовым обсуждались вопросы активизации двустороннего сотрудничества в сфере науки и технологий, реализации проектов и инициатив.

Фото Владимира Чистика, Натальи Прокопенко